RAM kiểu mới DFM dự kiến sẽ có mật độ dữ liệu lớn hơn và nhanh hơn. Tuy nhiên có lẽ chúng ta sẽ phải đợi vài năm để được thấy nó.

Tiến sĩ Masuoka Fujio được biết đến nhiều nhất dưới tư cách là người phát minh ra NAND. Tuy nhiên nếu như ý tưởng về việc biến Dynamic Flash Memory (DFM) thành RAM máy tính kiểu mới thành hiện thực thì ông sẽ còn được biết đến như người đi tiên phong trong việc thay thế DRAM.

Một bài báo tại Hội thảo Bộ nhớ Quốc tế IEEE (International Memory Workshop IEEE) đã đưa tin về ý tưởng của tiến sĩ Masuoka Fujio là dùng DFM ứng dụng công nghệ Surround Gate Transistor (SGT) để thay thế DRAM. Dù DFM mới chỉ đang ở giai đoạn lý thuyết nhưng Unisantis (công ty của tiến sĩ Masuoka Fujio) cũng đã có các thử nghiệm mô phỏng, cho thấy nó có thể đạt mật độ dữ liệu gấp 4 lần DRAM. Điều này có nghĩ là chúng ta sẽ nhồi được nhiều dữ liệu hơn vào 1 con chip RAM. Ngoài ra thì DFM có thể có băng thông lớn hơn để đọc/ghi dữ liệu. Nó sử dụng cấu trúc theo khối (block-based) nên tốc độ truy cập cũng nhanh hơn.

Tuy nhiên DFM vẫn chỉ mới ở giai đoạn ý tưởng, và chắc chắn sẽ phải mất nhiều năm nữa thì nó mới có thể thay thế DRAM được. Tuy nhiên Unisantis cũng đã bắt đầu tìm đối tác để sản xuất bản mẫu (prototype)

Tóm tắt nội dung:

- Tiến sĩ Fujio Masuoka – người phát minh ra NAND – hé lộ Dynamic Flash Memory (DFM) có khả năng thay thế DRAM. 

- DFM tương tự NAND Flash nhưng chứa được dữ liệu nhiều gấp 4 lần DRAM. 

- DFM có thể có băng thông lớn hơn để đọc/ghi dữ liệu DFM sử dụng cấu trúc theo khối (block-based) nên tốc độ truy cập cũng nhanh hơn. 

- DFM vẫn chỉ mới là ý tưởng, nhưng công ty đang tìm đối tác để phát triển công nghệ và sản xuất bản mẫu (prototype).